fT——特征频率。共发射极电流放大系数hfe的幅度下降到1时的频率。
fmax（fm）——最高震荡频率。晶体管能够产生震荡的最高频率。
0引言InP基异质结双极晶体管(HBT)因其材料体系和垂直结构等多方面的固有特点,具有速度快、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等诸多优势,成为实现宽带和超高速集成电路的最有竞争力技术方案之一[1-2]。InP基HBT主要分为单异质结双极晶体管(SHBT)和双异质结双极晶体管(DHBT)。相对于前者,后者由于采用禁带较宽的InP(1.35
eV)代替窄禁带材料InGaAs(0.76
eV)作集电区,可以较大幅度地提高器件的击穿电压和热处理能力,增大电流密度和提高功率密度及功率附加效率[3-4],使其成为高速器件与电路领域研究的热点。近年来,国外InP
DHBT的研究开展得如火如荼,器件的截止频率fT和最大振荡频率fmax均取得了惊人的成绩,美国UCSB大学M.Rodwell等人[5]报道了fmax高达808
GHz的InP DHBT;美国NGST公司E.Lind等人[6]则报道了fT和fmax均超过了560
内容全部来源于网络收集，如有侵权，请联系网站删除：QQ：24596024