apd雪崩光电二极管的相应速度快，光电增益高，说明apd雪崩光电二极管在收到光辐射的时候产生的光电子在apd雪崩光电二极管内部的渡越时间短，受激产生的光电子多，光电流大，这些特性的产生需要器件内部的载流子浓度大，而在工艺中就表现为重参杂。重点可以看看《半导体物理》《半导体器件物理》其中对载流子在半导体器件中的渡越时间的描述这个其实不是很复杂的可以到硬之城上面看看有没有这个型号有的话就能在上面找到它的技术资料
