PN结齐纳击穿问题

2025-02-27 04:31:43
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回答1:

这是关系到pn结基本原理的问题,在一般的电路书籍中不会讲到。
(1)“在高掺杂的情况下,耗尽层宽度很小”:由于耗尽层就是空间电荷区,其中的空间电荷主要是杂质电离中心提供的,因此掺杂浓度越大,电荷密度就越大,于是产生相同内建电场所需要的宽度就越小,即耗尽层宽度变小。
(2)“高掺杂情况下会发生雪崩击穿吗?”——不会。因为高掺杂时,耗尽层厚度很薄,就很容易发生隧道效应(是一种量子效应),即产生齐纳击穿。因此,还没有产生雪崩击穿时,就已经发生齐纳击穿了。
“低掺杂情况下会发生齐纳击穿吗?”——也不会。因为低掺杂时,耗尽层厚度较大,不容易发生隧道效应,所以只能发生较高击穿电压的雪崩击穿。

对于Si-pn结的击穿,一般存在以下的规律:击穿电压小于4V者为齐纳击穿,击穿电压大于6V者为雪崩击穿,击穿电压在4V~6V之间者属于两种击穿都发生的混合型击穿(温度稳定性最好的稳压二极管,电压就是5V左右)。
如果对物理原理感兴趣的话,请详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

回答2:

雪崩击穿:发生在掺杂浓度较低的PN结中,阻挡层宽,碰撞电离的机会较多,雪崩击穿的击穿电压高。齐纳击穿:当PN结两边掺杂浓度很高时,阻挡层很薄,不易产生碰撞电离。