可以尝试把Vge降到使IGBT内的BJT处于临界饱和状态，阻抗稍微大一些，起RLC阻尼作用，表现不会有太大区别，都是强行开通了。ge间加个电容，实际上是减缓了开关的过渡过程，也能抑制振荡....
你要自行开发新型IGBT管吗？不然原理要了解那么透彻
