下列存储器中，存取周期最短的是（） A：硬盘存储器 B：CD-ROM C：DRAM D：SRAM

SRAM。

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM是静态存储方式，以双稳态电路作为存储单元，SRAM不像DRAM一样需要不断刷新，而且工作速度较快，但由于存储单元器件较多，集成度不太高，功耗也较大。

扩展资料

SRAM可分为五大部分：存储单元阵列（core cells array），行/列地址译码器(decode），灵敏放大器(Sense Amplifier），控制电路（control circuit），缓冲/驱动电路（FFIO）。

存取周期为存储器的性能指标之一，直接影响电子计算机的技术性能。存储周期愈短，运算速度愈快，但对存储元件及工艺的要求也愈高。

例如磁芯存储器的存取周期为零点几到几个微秒。半导体存储器的存取周期通常在几十到几百毫微秒之间。那么半导体存储器的性能比磁芯存储器的性能要好。

参考资料来源：百度百科-存取周期

参考资料来源：百度百科-SRAM

D：SRAM

A,和B,不用说吧,一定不可能的.硬盘存储,和CDROM存储,都是慢极了的,,,那就只有.C 和D了,,那看下,DRAM,和SRAM的不同吧..
SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。SRAM在PC平台上就只能用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。
DRAM的应用比SRAM要广泛，结构较SRAM要简单许多，无论是集成度、生产成本以及体积，DRAM都比SRAM具有优势 。

下列存储空间中，存取周期最短得是DRAM。

DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。
DRAM中的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。为了将数据保存在存储器中，DRAM器件必须有规律地进行刷新。
而SRAM是静态的，因此只要供电它就会保持一个值。一般而言，SRAM 比DRAM要快，这是因为SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。相比而言，DRAM比SRAM每个存储单元的成本要高。照此推理，可以断定在给定的固定区域内DRAM的密度比SRAM 的密度要大。
SRAM常常用于高速缓冲存储器，因为它有更高的速率；而DRAM常常用于PC中的主存储器，因为其拥有更高的密度。