你说的这种方式风险很大。原本IAP就是个高风险的过程，代码从SRAM刷入Flash的过程要谨防断电、动作越快完成越好；你可倒好，一边低速接收一边慢慢改写Flash的内容，将这个高风险的刷机时间人为延长了N倍。
更可怕的是你对Flash完全没有认知，还想不缓冲直接写Flash？连扇区缓冲都不用？整个扇区你不问青红皂白先一股脑擦掉、再慢悠悠地一个字节一个字节接收写入？
这个思路，做做论文、搞搞研究还行，真用到产品里面会坑死一家厂的。
双buf，交替读写，当然如果你外部SRAM够大就直接写SRAM，完成后读出即可
STM32官方有示例程序。
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