三极管8550的参数

集电极-基极电压Vcbo：-40V，工作温度：-55℃ to +150℃，最大集电极电流为1.5 A。直流电增益：10 to 60；功耗:625 mW；最大集电极发射电压（VCEO）：25；频率：150MHz。

三极管8550是一种常用的普通三极管。 它是一种低电压，大电流，小信号的PNP型硅三极管。最大集电极电流为1.5 A。1脚=E（发射极，带箭头的那个），2脚=B（基极），3脚=C（集电极）。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

扩展资料

特征频率为当f= fT时，三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积，即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数，便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高，放大倍数会下降．fT也可以定义为β=1时的频率．

电压/电流，用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。VCEO为集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。

参考资料来源：百度百科-三极管8550

集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃ to +150℃
和8050（NPN）相对
8550三级管参数：类型:开关型; 极性:PNP; 材料:硅; 最大集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集电极发射电压（VCEO）:25; 频率:150MHz
PE8550 硅 PNP 30V 1.5A 1.1W
3DG8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K
MC8550 硅 PNP 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K
8050S 8550S S8050 S8550 参数：
耗散功率0.625W（贴片：0.3W）
集电极电流0.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350
C8050 C8550 参数：
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档
放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300
8050SS 8550SS 参数：
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档
放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400
引脚排列有EBC、ECB两种
SS8050 SS8550 参数：
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档
放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300
引脚排列多为EBC
UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC
8050S 8550S 引脚排列有ECB
这种管子很少见
参数：
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极--基极电压30V
集电极--发射极击穿电压20V
特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出
放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档
C：120-200 D：160-300 E：280-400