AlGaAs技术是在微波行业采用能隙工程生产新型半导体结构,利用多量子阱、超晶格和异质结的各种性质,制造由分子束外延法和有机金属化学气相沉积法生长的新型半导体。带隙原理被应用于MACOM AlGaAs技术的开发。推动了PIN二极管射频性能的提升。与等效的GaAs PIN结构不同,AlGaAs回波损耗、插入损耗低。分立式异质结AlGaAs PIN二极管在10 mA偏流条件下将高频插入损耗降低两倍的性能。