半导体具有光生伏特效应，因此无论直接带隙或间接带隙半导体均可接收光子能量并使价带电子跃迁至导带并产生光电流，即作为光探测器，只是灵敏度和探测波长有差异。直接带隙或间接带隙只有在发光时有明显区别，直接带隙半导体导带电子落入价带无需改变动量，即无需声子参与，容易将电子的能量转化为光子，间接带隙半导体导电电子必须改变动量才可进入价带，由于需要声子参与，电子能量不易转化为光子。
