内存的CL值,为什么DDR3的比DDR2延迟时间长?

2024-11-15 12:05:29
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回答1:

1、确切的说,DDR3不是延迟高,而是CL值比较高,CL不能和延迟划等号的。
2、认为DDR3延迟比DDR2严重是一种误解,JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6,其内存延迟均为15ns。CAS Latency是指内存需要经过多少个周期,才能开始读写资料,但要计算整个内存条的延迟值,还需要把内存颗粒运行频率计算在内。
3、现在DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9,把内存颗粒运行频率计算在内,其内存延迟值应为13.125、12.ns及11.25ns,相比DDR2改善约25%,因此消费者以CAS数值当成内存条的延迟值是不正确的。
4、DDR3内存是8bit读取,而DDR2是4bit读取,这个可以理解为DDR3内存CL值比较高的原因,因为它一次性读取的数据更多,CL值高是可以理解的。但在算上频率的优势后,DDR3相对DDR2内存还是有性能优势的。何况,DDR3的高频适合超频,而且功耗也更低,这更符合发展趋势。
5、内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间,它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示,例如“3-4-4-8”。其中第一个数字表示内存读取数据所需的延迟时间(CAS Latency),即我们常说的CL值。

回答2:

是啊,一般而言频率的提高能弥补延迟带来的性能损失。DDR2的延迟比DDR的延迟高,DDR3比DDR2高。正常的情况是这样的。