LED(Light Emitting Diode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。
1.LED芯片的正向工作电流If:
它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。
2.LED芯片的正向工作电压VF:
参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时,VF将下降。
3.V-I特性:
发光二极体的电压与电流的关系,在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。
4.发光强度IV:
发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用烛光(坎德拉, mcd)作单位。
5.LED的发光角度:
-90°- +90°
6.光谱半宽度Δλ:
它表示发光管的光谱纯度。
7.半值角θ1/2和视角:
θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。
8.全形:
根据LED发光立体角换算出的角度,也叫平面角。
9.视角:
指LED发光的最大角度,根据视角不同,应用也不同,也叫光强角。
10.半形:
法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说,是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED芯片的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值,引入偏差角,指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。
11.最大正向直流电流IFm:
允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。
12.最大反向电压VRm:
所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极体可能被击穿损坏。
13.工作环境topm:
发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极体将不能正常工作,效率大大降低。
14.允许功耗Pm:
允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。
普通二极管、整流二极管、开关二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管,等等。
主要参数有正向电流、正向导通压降、反向击穿电压、工作温度范围、一些高速二极管还有结电容和恢复时间等参数
led即发光二极管,主要参数如下:
产品参数:电压,系统功率,光通,表明照度,尺寸
技术参数:镇流器类型,内置恒流驱动,电感镇流器,寿命,照度等。
二极管主要参数
1、最大整流电流 IF:是指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏。例如2APl最大整流电流为16mA。
2、反向击穿电压 VBR:指管子反向击穿时的电压值。击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。例如2APl最高反向工作电压规定为2OV, 而反向击穿电压实际上大于40V。
3、反向电流 IR:指管子末击穿时的反向电流,其值愈小,则管子的单向导电性愈好。由于温度增加,反向电流会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。
4、极间电容 CJ:二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容,在高频运用时必须考虑结电容的影响。二极管不同的工作状态,其极间电容产生的影响效果也不同。
LED就是指发光二级管。
1.LED芯片的正向工作电流If:
它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在 0.6·IFm以下。
2.LED芯片的正向工作电压VF:
参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时,VF将下降。
3.V-I特性:
发光二极体的电压与电流的关系,在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。
4.发光强度IV:
发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用烛光(坎德拉, mcd)作单位。
5.LED的发光角度:
-90°- +90°
6.光谱半宽度Δλ:
它表示发光管的光谱纯度。
7.半值角θ1/2和视角:
θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。
8.全形:
根据LED发光立体角换算出的角度,也叫平面角。
9.视角:
指LED发光的最大角度,根据视角不同,应用也不同,也叫光强角。
10.半形:
法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说,是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED芯片的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值,引入偏差角,指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。
11.最大正向直流电流IFm:
允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。
12.最大反向电压VRm:
所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极体可能被击穿损坏。
13.工作环境topm:
发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极体将不能正常工作,效率大大降低。
14.允许功耗Pm:
允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。
普通二极管、整流二极管、开关二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管,等等。
主要参数有正向电流、正向导通压降、反向击穿电压、工作温度范围、一些高速二极管还有结电容和恢复时间等参数
LED就是light emitting diode ,发光二极管的英文缩写,简称LED。它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式,用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。一般是用在显示屏和灯上面。
它的优点:亮度高、工作电压低、功耗小、微型化、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长、耐冲击、性能稳定。
LED(Light Emitting Diode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。
1.LED芯片的正向工作电流If:
它是指发光二极体正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。
2.LED芯片的正向工作电压VF:
参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极体正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时,VF将下降。
3.V-I特性:
发光二极体的电压与电流的关系,在正向电压正小于某一值(叫阈值)时,电流极小,不发光。当电压超过某一值后,正向电流随电压迅速增加,发光。
4.发光强度IV:
发光二极体的发光强度通常是指法线(对圆柱形发光管是指其轴线)方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为(1/683)W/sr时,则发光1坎德拉(符号为cd)。由于一般LED的发光二强度小,所以发光强度常用烛光(坎德拉, mcd)作单位。
5.LED的发光角度:
-90°- +90°
6.光谱半宽度Δλ:
它表示发光管的光谱纯度。
7.半值角θ1/2和视角:
θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向(法向)的夹角。
8.全形:
根据LED发光立体角换算出的角度,也叫平面角。
9.视角:
指LED发光的最大角度,根据视角不同,应用也不同,也叫光强角。
10.半形:
法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说,是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED芯片的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值,引入偏差角,指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。
11.最大正向直流电流IFm:
允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。
12.最大反向电压VRm:
所允许加的最大反向电压。超过此值,发光二极体可能被击穿损坏。
13.工作环境topm:
发光二极体可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极体将不能正常工作,效率大大降低。
14.允许功耗Pm:
允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值,LED发热、损坏。
普通二极管、整流二极管、开关二极管、检波二极管、稳压二极管、变容二极管,等等。
主要参数有正向电流、正向导通压降、反向击穿电压、工作温度范围、一些高速二极管还有结电容和恢复时间等参数
二极管的参数:电流,电压,反向电流,极间电容,漏电流