哪些品牌是使用氮化镓技术的？

氮化镓，化学式是GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，氮化镓的使用时非常早的，早在1990年就用在了发光二极管中。也就是说，这玩意是很早之前就有的，为什么这两年才火呢？

这得跟这几年手机得快充技术进步有直接关系，在氮化镓之前，手机的充电器常用的是硅基充电器。但随着这几年快充技术的进步，手机的充电器，从10W到18W到27W……甚者有些手机已经达到了50W以上的充电效率，硅基充电器的体积偏大，所以在使用时就不要方便了，而且也跟不上眼下的趋势。

第三代半导体氮化镓GaN因为其能缝宽、开关频率高、导通电阻低，因此采用氮化镓做充电器最显著的一个特点就是，同等功能下体积要比轨迹充电器小很多。所以氮化镓的使用，让充电器的功率增加，而体积更小，这也符合了当下手机快充的发展趋势。

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目前市面上常见的氮化镓造型，无非有两种，长条形和方形，而且厂家的渲染图其实就是像红烧牛肉面的包装图一样，看起来很诱人，很小，但会有一句，以实物为准。所以，很多时候，我们看到的并不是真的，氮化镓具体的大小需要用实物来对比，如果要更苛刻一点，那就直接用体积来对比。

面对井喷的氮化镓市场，充电头网引入了一个词语———体积“功率密度”，直白来说，就是最大功率和体积的对比值。这点我不很认同，为什么呢？因为以主流的65W氮化镓为例，有单口，有双口，有三口的，相比来说，单口的肯定会比三口的在设计上更有体积优势。

半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年，一路上挟风带雨，好不风光。不过随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限，摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓。

未来半导体技术的提升，除了进一步榨取摩尔定律在制造工艺上最后一点“剩余价值”外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。

GaN和SiC同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比，其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

你是想入手氮化镓充电器吗，倍思、品胜、小米这些品牌都有啊，我用的是倍思45W的，充电速度确实是快很多，其他品牌的不是很了解。