GFP5N60场效应管的引脚哪个是源栅漏极

GFP5N60场效应管的引脚源栅漏极：第一个是G栅极，第二个是D漏极，第三个是S源极。正放排列分别是G-D-S排列。
场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

字朝人放正：G-D-S排列。直插TO-220封装的场效应管基本都一样。第一个是G栅极，第二个是D漏极，第三个是S源极。5N60是N沟道MOS场效应管，G栅极与DS两极不通（绝缘，耐压小于30V）。DS之间有一个寄生二极管（S→D）。
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FGP5N60UFD - 600V, 5A ， IGBT 不是场效应管，是IGBT即“绝缘栅双极晶体管”，GCE排列，引脚同场效应管基本一样。

查无资料，你看清型号了吗？