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V-NAND什么是 3D V-NAND？它与现有技术有什么不同？
三星独一无二的创新性 3D V-NAND 闪存架构是一项巨大突破，克服了传统平面 NAND 架构的密度、性能和耐久性局限。3D V-NAND 的架构设计通过让 32 个芯片层彼此垂直堆叠，而不是缩减芯片尺寸并尝试将自身容纳到一个固定的水平空间，因此使得密度更高，性能更好，而占用的空间更小。
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